この研究室は，三菱電機㈱との共同研究講座です。

SiやSiC，GaNなどのパワー半導体が省エネ社会実現のキーデバイスとして広く適用されています。本研究室では，パワー半導体やパワーモジュールの過渡応答を表現できるデバイスモデルを開発しています。このモデルを用いることでスイッチング損失，EMIノイズなどパワエレ機器の解析評価が可能になります。設計段階で性能作り込みが可能なシステム全体設計技術の確立を目指しています。