この研究室は、三菱電機㈱との連携研究室です。
SiやSiC、 GaNなどのパワー半導体が省エネ社会実現のキーデバイスと して広く適用されています。葛本・堀口研究室ではパワー半導体の過渡応答を表現できるデバイスモデルを開発し、パワエレシステムの最適設計技術の確立を目指しています。Si-IGBTのモデル化から開始して、現在SiC-MOSFETのモデル化に研究を進めています。このモデルを用いることでスイッチング損失、EMIノイズなどパワエレ機器の解析評価が可能になります。今後、設計段階で性能作り込みが可能なシステム全体設計技術を構築して行きます。