研究紹介
1. SiCパワー半導体デバイスモデルの開発
①中嶋,堀口,浦壁,萩原
「SiC-MOSFET,GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発」,
令和3年電気学会全国大会,WEB17-B2・パワーエレクトロニクスデバイス評価・4-001(2021)
②J. Nakashima, T. Horiguchi, Y. Mukunoki, M. Hagiwara, T. Urakabe and S. Harada
"Automated Flexible Modeling for Various Full-SiC Power Modules",
IEEE Transactions on Power Electronics ( Early Access ) ,pp. 1-15(2023)
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2. パワー半導体素子直列駆動技術の研究
①中西,浦壁,萩原,中嶋,檜垣,地道
「ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動
に関する研究」,電気学会研究会資料(半導体電力変換/モータドライブ合同研究会),
SPC-22-009/MD-22-009(2022)
②石井,浦壁,萩原,中嶋,檜垣,地道
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBD
スイッチング素子の直列駆動に関する研究」,2022年電気学会産業応用部門大会,1-40(2022)
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3. 機械学習を用いたパワエレ機器の異常診断技術に関する研究
①王,中嶋,原田,浦壁
「機械学習によるDC/DCコンバータの異常診断」, 令和4年電気学会全国大会,
WEB15-A3 パワーエレクトロニクス DC-DC変換(非絶縁) 4-038 (2022)
②王,原田,浦壁
「機械学習を活用したDC/DCコンバータの異常診断技術の検討」,
電気学会研究会資料(半導体電力変換/モータドライブ合同研究会),
SPC-23-023/MD-23-023(2023)
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