学術会議
学術会議
2022年度（浦壁・原田研）
(1) 石井，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用した
SiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究」，
2022年電気学会産業応用部門大会，1-40，2022
(2) 王，原田，浦壁
「機械学習を活用したDC/DCコンバータの異常診断技術の検討」，
電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，
SPC-23-02309/MD-23-023，2023
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2021年度（浦壁・原田研）
(1) J. Nakashima, T. Horiguchi, Y.Mukunoki, K.Hatori,
R. Tsuda, H. Uemura, M. Hagiwara and T. Urakabe,
" Investigation of Full SiC Power Modules for More
Electric Aircraft with Focus on FIT Rate and High
Frequency Switching",
2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress & Exposition
- Asia ( ECCE-Asia)
(2) 浦壁
「パワエレ学会19-20活動の振返りとパワエレ研究の俯瞰・研究紹介」，
パワーエレクトロニクス学会第239回定例研究会（9月），JIPE-47-09，2021
(3) 中西，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動に関する研究」，
電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，SPC-22-009/MD-22-009，2022
(4) 王，中嶋，原田，浦壁
「機械学習によるDC/DCコンバータの異常診断」，
令和４年電気学会全国大会, 4-038，2022
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2020年度（浦壁・原田研）
(1) 中嶋，堀口，浦壁，萩原
「SiC-MOSFET，GaN-HEMTに適用可能なユニバーサル
デバイスモデルの開発」，令和３年電気学会全国大会，4-001，2021
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2019年度（葛本・堀口研）
(1) 滕飛，葛本，萩原，石井，中嶋，堀口，椋木，地道
「6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発」，
電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-19-068, SPC-19-154, 2019
(2) 牛島，滕飛，葛本，萩原，石井，中嶋，堀口，椋木，地道
「デバイスモデルを用いた6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETモジュールの
並列駆動動作に関する検討」，
電気学会半導体電力変換，モータドライブ合同研究会，
SPC-20-048, MD-20-048, 2020
(3) Y.Ishii, S.Nakazawa, T.Horiguchi, Y.Mukunoki, T.Jimichi, M.Kuzumoto
and M.Hagiwara,
"Accurate Conducted EMI Simulation of a Buck Converter
with a Compact Model for an SiC-MOSFET",
2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and
Exposition (APEC), D 11.2, 2020
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2018年度（葛本・堀口研）
(1) Y.Ishii and T.Jimichi
"Verification of SiC Based Modular Multilevel Cascade
Converter (MMCC) for HVDC Transmission Systems",
2018 International Power Electronics Conference(IPEC),
22K2-1, 2018
(2) Y.Mukunoki, T. Horiguchi, H.Nakatake,
M.Kuzumoto, M.Hagiwara and H. Akagi,
"Physical Analysis of Gate-Source Voltage
Dependencies of Parasitic Capacitors and
Their Impacts on Switching Behavior of a
Discrete Silicon-Carbide MOSFET",
ECCE-Asia 2019
(3) 椋木，堀口，葛本，萩原，赤木
「SiC-MOSFETデバイスモデルの開発」
平成30年電気学会産業応用部門大会, 7-1，2018
(4) 滕，葛本，萩原，石井，中嶋，椋木，堀口
「6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング」
平成31年電気学会全国大会, 4-005，2019
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2017年度（葛本・堀口研）
(1) 松尾，昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中山
「双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFET
のソフトスイッチング特性解析」
平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-70，2017
(2) 昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中山
「熱非平衡時におけるSiC-MOSFET並列駆動のスイッチ
ング動作解析」
平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-134，2017
(3) 昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，西沢
「並列接続ゲートドライブSiC-MOSFETの連続動作
におけるジャンクション温度解析」，
電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-17-058, SPC-17-157, 2017
(4) Y.Mukunoki, K.Konno, T.Matsuo, T. Horiguchi, A.Nishizawa,
M.Kuzumoto, M.Hagiwara and H. Akagi,
"Electro-Thermal Co-Simulation of Two Parallel-Connected
SiC-MOSFETs Under Thermally-Imbalanced Conditions",
2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and
Exposition (APEC), ID 1297, 2018
(5) 松尾，昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中武
「SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析」
電気学会全国大会，4-112, 2018
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2016年度（葛本・堀口研）
(1) 中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山
「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFETターンオン動
作のシミュレーション検討」
平成28年電気学会産業応用部門大会, 1-13，2016
(2) Y.Mukunoki, Y.Nakamura, K.Konno, T. Horiguchi, Y. Nakayama,
A.Nishizawa, M.Kuzumoto and H. Akagi,
"Modeling of a Silicon-Carbide MOSFET with Novel Internal
Stray Capacitances Models and its Verification",
The 32nd Annual IEEE Applied Power Electronics Conference
& Exposition (APEC2017), T21-2, 2017
(3) 中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山 「ゲートドライブ
モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション
検討」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-16-065, SPC-16-152, 2016
(4) 昆野，中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山 「LC共振を利用
したSiC-MOSFETの寄生インダクタンスの評価方法」，
電気学会全国大会，4-007, 2017
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2015年度（葛本・堀口研）
(1) 小杉，西村，赤木，堀口，木ノ内，宮崎 「SiC-MOSFET
モデルを用いた双方向絶縁型DC/DCコンバータの詳細な
動作解析」，平成27年度電気学会産業応用部門大会，
1-47，2015
(2) 小杉，中村，葛本，赤木，椋木，堀口，木ノ内，宮崎
「SiC-MOSFETモデルを用いた双方向絶縁型DC/DC
コンバータの損失解析」電気学会電子デバイス半導体電力
変換合同研究会，EDD-15-092, SPC-15-174, 2015
(3) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, and H. Akagi,
"A Fast Short-Circuit Protection Method Using Gate
Charge Characteristics of SiC MOSFETs", in Conf. Rec.
IEEE Energy Conversion Congress and Exposition,
pp.4759-4764, Sep. 2015
(4) 小谷，中尾，江口，杉山，三野，椋木 「実装・冷却に
おける」パワー密度向上に向けた要素技術とそのロード
マップ」 電気学会全国大会2016シンポジウム（2016.3）
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2014年度（西村・冨永研）
(1) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi,
"A High Speed Protection Circuit for IGBTs Subjected to
Hard Switching Faults" in Proc. IEEE Applied Power
Electronics Conf., Fort Worth, Mar, 16-20, 2014
(2) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi,
"A Short Circuit Protection Method Based on a Gate
Charge Characteristic" in Conf. Rec. International Power
Electronics Conference (ECCE-ASIA), pp.2290-2296,
May 2014
(3) 二宮，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，宮崎 「高精度な
電力変換回路設計用のSiC-MOSFET回路シミュレーション
モデルの開発」 電気学会半導体電力変換研究会
SPC-15-007, MID-15-007（2015年1月）
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2013年度（西村・冨永研）
(1) 岡本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「IGBT
物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析」
平成25年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1,
pp.363-366, (2013-8)
(2) 岡本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「IGBT
の帰還容量特性に基づく短絡保護回路」平成25年電気学会
電子デバイス/半導体電力変換合同研究会，EDD-13-
063/SPC-13-125，pp. 7-12, (2013-10)
(3) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi, "A
High-Speed Protection Circuit for IGBTs Subjected to
Hard-Switching Faults", in Conf. Rec. IEEE Applied
Power Electronics Conference and Exposition, pp.2519-
2525, March 2014
(4) 田中，椋木，東，中尾 「リアクトルの損失解析-強制対流
下での直流通電実験」 電気学会全国大会2014（2014.3）
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2012年度（西村・冨永研）
(1) 塚本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「物理
モデルに基づくIGBT並列駆動時における接合温度解析」
平成24年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1, pp.615-
618, (2012-8)
(2) 塚本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「物理
モデルを用いた並列駆動IGBT連続動作時の接合温度解析
－並列素子間の配線インダクタンス差の影響－」平成25年
電気学会半導体電力変換研究会 SPC13-024, pp.49-54,
(2013-1)
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2011年度（西村・冨永研）
(1) 岩田，冨永，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，漆畑,
「高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎
的検討」平成23年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1,
pp.615-618, (2011-9)
(2) 磯部，椋木，船渡，和田 「EMIに関する回路設計マネージ
メント」 平成23年電気学会産業応用部門大会
(3) 岩田，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，
「デバイスモデルを用いたインバータ動作時の過渡熱解析」
平成24年電気学会半導体電力変換研究会 SPC12-016,
pp.91-96,(2012-1)
(4) S. Tominaga, H. Urushibata, H. Fujita, H. Akagi, T.
Horiguchi, S. Kinouchi, and T. Oi, "Modeling of IGBTs
With Focus on Voltage Dependency of Terminal
Capacitances", in Conf. Rec. European Conference on
Power Electronics and Applications, CD-ROM,
September 2011
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2010年度（漆畑・冨永研）
(1) 杉本，冨永，漆畑，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，
「デバイスモデルを用いた並列接続pinダイオードの動作特
性-キャリアの挙動によるリカバリー特性の解析-」 平成23年
電気学会半導体電力変換研究会, pp.97-102, (2011-1)
