学術会議
学術会議
2023年度（浦壁・原田研）
(1) 石井，神田，浦壁，萩原，糸川，檜垣，
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用した
SiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究」
電気学会半導体電力変換研究会, SPC-23-167，2023
(2) Y. Itogawa, S. Harada, T. Urakabe and H. Fujita,
"Improvement Method of Voltage Sharing Performance
for Series-Connected GaN Devices based on
an Active Surge Absorber Circuit",
25th European Conference on Power Electronics and Applications,167, 2023
(3) 神田，石井，浦壁，萩原，糸川，檜垣，
「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法」
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会，
EDD-23-029/SPC-23-212，2023
(4) 井口，原田，浦壁，中嶋，堀口，椋木，
「温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究」
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会，
EDD-23-037/SPC-23-220，2023
(5) 神田，石井，浦壁，萩原，糸川，檜垣
「トランス並列ダンピング方式とコンデンサを併用した直列素子の電圧アンバランス抑制方法」
令和６年電気学会全国大会, 4-014，2024
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2022年度（浦壁・原田研）
(1) 石井，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用した
SiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究」，
2022年電気学会産業応用部門大会，1-40，2022
(2) 王，原田，浦壁
「機械学習を活用したDC/DCコンバータの異常診断技術の検討」，
電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，
SPC-23-02309/MD-23-023，2023
(3) 神田，石井，浦壁，萩原，檜垣
「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法」
令和５年電気学会全国大会, 4-019，2023
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2021年度（浦壁・原田研）
(1) J. Nakashima, T. Horiguchi, Y.Mukunoki, K.Hatori,
R. Tsuda, H. Uemura, M. Hagiwara and T. Urakabe,
" Investigation of Full SiC Power Modules for More
Electric Aircraft with Focus on FIT Rate and High
Frequency Switching",
2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress & Exposition
- Asia ( ECCE-Asia)
(2) 浦壁
「パワエレ学会19-20活動の振返りとパワエレ研究の俯瞰・研究紹介」，
パワーエレクトロニクス学会第239回定例研究会（9月），JIPE-47-09，2021
(3) 中西，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動に関する研究」，
電気学会半導体電力変換/モータドライブ合同研究会，SPC-22-009/MD-22-009，2022
(4) 王，中嶋，原田，浦壁
「機械学習によるDC/DCコンバータの異常診断」，
令和４年電気学会全国大会, 4-038，2022
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2020年度（浦壁・原田研）
(1) 中嶋，堀口，浦壁，萩原
「SiC-MOSFET，GaN-HEMTに適用可能なユニバーサル
デバイスモデルの開発」，令和３年電気学会全国大会，4-001，2021
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2019年度（葛本・堀口研）
(1) 滕飛，葛本，萩原，石井，中嶋，堀口，椋木，地道
「6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発」，
電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-19-068, SPC-19-154, 2019
(2) 牛島，滕飛，葛本，萩原，石井，中嶋，堀口，椋木，地道
「デバイスモデルを用いた6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETモジュールの
並列駆動動作に関する検討」，
電気学会半導体電力変換，モータドライブ合同研究会，
SPC-20-048, MD-20-048, 2020
(3) Y.Ishii, S.Nakazawa, T.Horiguchi, Y.Mukunoki, T.Jimichi, M.Kuzumoto
and M.Hagiwara,
"Accurate Conducted EMI Simulation of a Buck Converter
with a Compact Model for an SiC-MOSFET",
2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and
Exposition (APEC), D 11.2, 2020
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2018年度（葛本・堀口研）
(1) Y.Ishii and T.Jimichi
"Verification of SiC Based Modular Multilevel Cascade
Converter (MMCC) for HVDC Transmission Systems",
2018 International Power Electronics Conference(IPEC),
22K2-1, 2018
(2) Y.Mukunoki, T. Horiguchi, H.Nakatake,
M.Kuzumoto, M.Hagiwara and H. Akagi,
"Physical Analysis of Gate-Source Voltage
Dependencies of Parasitic Capacitors and
Their Impacts on Switching Behavior of a
Discrete Silicon-Carbide MOSFET",
ECCE-Asia 2019
(3) 椋木，堀口，葛本，萩原，赤木
「SiC-MOSFETデバイスモデルの開発」
平成30年電気学会産業応用部門大会, 7-1，2018
(4) 滕，葛本，萩原，石井，中嶋，椋木，堀口
「6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング」
平成31年電気学会全国大会, 4-005，2019
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2017年度（葛本・堀口研）
(1) 松尾，昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中山
「双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFET
のソフトスイッチング特性解析」
平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-70，2017
(2) 昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中山
「熱非平衡時におけるSiC-MOSFET並列駆動のスイッチ
ング動作解析」
平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-134，2017
(3) 昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，西沢
「並列接続ゲートドライブSiC-MOSFETの連続動作
におけるジャンクション温度解析」，
電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-17-058, SPC-17-157, 2017
(4) Y.Mukunoki, K.Konno, T.Matsuo, T. Horiguchi, A.Nishizawa,
M.Kuzumoto, M.Hagiwara and H. Akagi,
"Electro-Thermal Co-Simulation of Two Parallel-Connected
SiC-MOSFETs Under Thermally-Imbalanced Conditions",
2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and
Exposition (APEC), ID 1297, 2018
(5) 松尾，昆野，葛本，萩原，赤木，椋木，堀口，中武
「SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析」
電気学会全国大会，4-112, 2018
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2016年度（葛本・堀口研）
(1) 中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山
「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFETターンオン動
作のシミュレーション検討」
平成28年電気学会産業応用部門大会, 1-13，2016
(2) Y.Mukunoki, Y.Nakamura, K.Konno, T. Horiguchi, Y. Nakayama,
A.Nishizawa, M.Kuzumoto and H. Akagi,
"Modeling of a Silicon-Carbide MOSFET with Novel Internal
Stray Capacitances Models and its Verification",
The 32nd Annual IEEE Applied Power Electronics Conference
& Exposition (APEC2017), T21-2, 2017
(3) 中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山 「ゲートドライブ
モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性のシミュレーション
検討」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，
EDD-16-065, SPC-16-152, 2016
(4) 昆野，中村，葛本，赤木，椋木，堀口，中山 「LC共振を利用
したSiC-MOSFETの寄生インダクタンスの評価方法」，
電気学会全国大会，4-007, 2017
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2015年度（葛本・堀口研）
(1) 小杉，西村，赤木，堀口，木ノ内，宮崎 「SiC-MOSFET
モデルを用いた双方向絶縁型DC/DCコンバータの詳細な
動作解析」，平成27年度電気学会産業応用部門大会，
1-47，2015
(2) 小杉，中村，葛本，赤木，椋木，堀口，木ノ内，宮崎
「SiC-MOSFETモデルを用いた双方向絶縁型DC/DC
コンバータの損失解析」電気学会電子デバイス半導体電力
変換合同研究会，EDD-15-092, SPC-15-174, 2015
(3) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, and H. Akagi,
"A Fast Short-Circuit Protection Method Using Gate
Charge Characteristics of SiC MOSFETs", in Conf. Rec.
IEEE Energy Conversion Congress and Exposition,
pp.4759-4764, Sep. 2015
(4) 小谷，中尾，江口，杉山，三野，椋木 「実装・冷却に
おける」パワー密度向上に向けた要素技術とそのロード
マップ」 電気学会全国大会2016シンポジウム（2016.3）
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2014年度（西村・冨永研）
(1) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi,
"A High Speed Protection Circuit for IGBTs Subjected to
Hard Switching Faults" in Proc. IEEE Applied Power
Electronics Conf., Fort Worth, Mar, 16-20, 2014
(2) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi,
"A Short Circuit Protection Method Based on a Gate
Charge Characteristic" in Conf. Rec. International Power
Electronics Conference (ECCE-ASIA), pp.2290-2296,
May 2014
(3) 二宮，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，宮崎 「高精度な
電力変換回路設計用のSiC-MOSFET回路シミュレーション
モデルの開発」 電気学会半導体電力変換研究会
SPC-15-007, MID-15-007（2015年1月）
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2013年度（西村・冨永研）
(1) 岡本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「IGBT
物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析」
平成25年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1,
pp.363-366, (2013-8)
(2) 岡本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「IGBT
の帰還容量特性に基づく短絡保護回路」平成25年電気学会
電子デバイス/半導体電力変換合同研究会，EDD-13-
063/SPC-13-125，pp. 7-12, (2013-10)
(3) T. Horiguchi, S. Kinouchi, Y. Nakayama, T. Oi, H.
Urushibata, S. Okamoto, S. Tominaga, and H. Akagi, "A
High-Speed Protection Circuit for IGBTs Subjected to
Hard-Switching Faults", in Conf. Rec. IEEE Applied
Power Electronics Conference and Exposition, pp.2519-
2525, March 2014
(4) 田中，椋木，東，中尾 「リアクトルの損失解析-強制対流
下での直流通電実験」 電気学会全国大会2014（2014.3）
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2012年度（西村・冨永研）
(1) 塚本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「物理
モデルに基づくIGBT並列駆動時における接合温度解析」
平成24年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1, pp.615-
618, (2012-8)
(2) 塚本，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，「物理
モデルを用いた並列駆動IGBT連続動作時の接合温度解析
－並列素子間の配線インダクタンス差の影響－」平成25年
電気学会半導体電力変換研究会 SPC13-024, pp.49-54,
(2013-1)
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2011年度（西村・冨永研）
(1) 岩田，冨永，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，漆畑,
「高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎
的検討」平成23年電気学会産業応用部門大会, VOL. 1,
pp.615-618, (2011-9)
(2) 磯部，椋木，船渡，和田 「EMIに関する回路設計マネージ
メント」 平成23年電気学会産業応用部門大会
(3) 岩田，冨永，西村，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，
「デバイスモデルを用いたインバータ動作時の過渡熱解析」
平成24年電気学会半導体電力変換研究会 SPC12-016,
pp.91-96,(2012-1)
(4) S. Tominaga, H. Urushibata, H. Fujita, H. Akagi, T.
Horiguchi, S. Kinouchi, and T. Oi, "Modeling of IGBTs
With Focus on Voltage Dependency of Terminal
Capacitances", in Conf. Rec. European Conference on
Power Electronics and Applications, CD-ROM,
September 2011
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2010年度（漆畑・冨永研）
(1) 杉本，冨永，漆畑，藤田，赤木，堀口，木ノ内，大井，
「デバイスモデルを用いた並列接続pinダイオードの動作特
性-キャリアの挙動によるリカバリー特性の解析-」 平成23年
電気学会半導体電力変換研究会, pp.97-102, (2011-1)
