受賞
受賞
2024年度
(1) IEEE Industrial Electronics Society Japan Chapter 若手優秀発表賞
「AIを活用した複数段マルチレベルコンバータの制御プログラム生成」
256回パワーエレクトロニクス学会定例研究会（2024.12.14） 上水流大介
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2023年度
(1) 令和5年度電気学会 電子デバイス半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞受賞
「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制法」
（令和5年10月27日） 神田大毅
(2) 2023年 電気学会 電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞
「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制法」
（2024年1月26日） 神田大毅
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2020年度
(1) 2020年電気学会産業応用部門優秀論文発表賞
「6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列
駆動動作に関する一検討」（SPC-20-48/MD-20-048） 牛島和樹
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2019年度
(1) 令和元年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会
学生奨励賞「6.5ｋV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発」
（令和元年（2019年）11月29日） 滕飛
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2017年度
(1) 電気学会産業応用部門 部門活動功労賞
「第二期パワエレ道場幹事としての貢献」
（平成29年（2017年）8月29日） 椋木康滋
(2) 平成29年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会
学生奨励賞「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における
ジャンクション温度解析」
（平成29年（2017年）11月21日） 昆野賢太郎
(3) 平成29年産業応用部門研究会論文発表賞
部門表彰（優秀論文発表賞）
「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における
ジャンクション温度解析」
（SPC-17-157/EDD-17-058） 昆野賢太郎
(4) 平成29年電気学会 電子・情報・システム部門
技術委員会奨励賞
「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における
ジャンクション温度解析」 昆野賢太郎
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2016年度
(1) 平成28年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会
学生奨励賞「ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-
MOSFET過渡現象のシミュレーション検討」
（平成28年（2016年）11月15日） 中村悠太
(2) 平成28年電気学会産業応用部門研究会論文発表賞
「ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡現象
のシミュレーション検討」
（平成29年（2017年）2月） 中村悠太
(3) 平成28年度東工大電気電子工学専攻優秀論文賞
「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性の
シミュレーション検討」平成29年（2017年）3月 中村悠太
(4) 平成28年度電気学会優秀論文発表賞
「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性の
シミュレーション検討」平成29年（2017年）3月31日 中村悠太
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浦壁特任教授
(1) 平成25年度（第62回）電機工業技術功績者表彰
優秀賞 「蓄電システムの安全基準作成」
蓄電池併設型分散電源システム認証検討WG
山口健二、川村博史、森岡英樹、遠藤浩輝、
成井良久、森口益巳、小谷善明、浦壁隆浩
(2) 2011年電気学会産業応用部門優秀論文発表賞
「電圧レギュレート型共振スイッチトキャパシタ
コンバータの開発」 論文番号１-19
田中優矢、浦壁隆浩
