受賞

受賞


 2023年度
(1) 令和5年度電気学会 電子デバイス半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞受賞
 「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制法」
 (令和5年10月27日) 神田大毅

(2) 2023年 電気学会 電子・情報・システム部門 技術委員会奨励賞
 「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制法」
 (2024年1月26日) 神田大毅

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 2020年度

(1) 2020年電気学会産業応用部門優秀論文発表賞

 「6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列

 駆動動作に関する一検討」(SPC-20-48/MD-20-048) 牛島和樹

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 2019年度

(1) 令和元年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会

 学生奨励賞「6.5V耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発」

 (令和元年(2019年)1129日) 滕飛

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 2017年度

(1) 電気学会産業応用部門 部門活動功労賞

 「第二期パワエレ道場幹事としての貢献」

  (平成29年(2017年)829日) 椋木康滋

(2) 平成29年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会

 学生奨励賞「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における

 ジャンクション温度解析」

 (平成29年(2017年)1121日) 昆野賢太郎

(3) 平成29年産業応用部門研究会論文発表賞 

 部門表彰(優秀論文発表賞)

 「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における

 ジャンクション温度解析」

 (SPC-17-157/EDD-17-058) 昆野賢太郎

(4) 平成29年電気学会 電子・情報・システム部門

 技術委員会奨励賞

 「並列接続SiC-MOSFETの連続動作における

 ジャンクション温度解析」 昆野賢太郎

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 2016年度

(1) 平成28年電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会

 学生奨励賞「ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-

 MOSFET過渡現象のシミュレーション検討」

 (平成28年(2016年)1115日) 中村悠太

(2) 平成28年電気学会産業応用部門研究会論文発表賞

 「ゲートドライブ回路モデルを考慮したSiC-MOSFET過渡現象

 のシミュレーション検討」

 (平成29年(2017年)2月) 中村悠太

(3) 平成28年度東工大電気電子工学専攻優秀論文賞

 「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性の

 シミュレーション検討」平成29年(2017年)3月 中村悠太

(4) 平成28年度電気学会優秀論文発表賞

 「ゲートドライブモデルを考慮したSiC-MOSFET過渡特性の

 シミュレーション検討」平成29年(2017年)331日 中村悠太

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浦壁特任教授

(1) 平成25年度(第62回)電機工業技術功績者表彰

 優秀賞 「蓄電システムの安全基準作成」 

 蓄電池併設型分散電源システム認証検討WG

 山口健二、川村博史、森岡英樹、遠藤浩輝、

 成井良久、森口益巳、小谷善明、浦壁隆浩

(2)  2011年電気学会産業応用部門優秀論文発表賞 

 「電圧レギュレート型共振スイッチトキャパシタ

 コンバータの開発」 論文番号1-19

 田中優矢、浦壁隆浩