Introduction of research contents
1. Development of SiC power semiconductor device model
①中嶋，堀口，浦壁，萩原,
「SiC-MOSFET，GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発」,
令和３年電気学会全国大会,
WEB17-B2・パワーエレクトロニクスデバイス評価・4-001（2021）
②J. Nakashima, T. Horiguchi, Y. Mukunoki, M. Hagiwara, T. Urakabe and S. Harada，
"Automated Flexible Modeling for Various Full-SiC Power Modules"，
IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.38, Issue 5, pp.6094-6107, May 2023
③井口，原田，浦壁，中嶋，堀口，椋木，
「温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究」，
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会，EDD-23-037/SPC-23-220，2023
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2. Research on drive technology for series-connected power semiconductor devices
①中西，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動に
関する研究」，電気学会研究会資料（半導体電力変換／モータドライブ合同研究会），
SPC-22-009/MD-22-009（2022）
②石井，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBD
スイッチング素子の直列駆動に関する研究」
2022年電気学会産業応用部門大会, 1-40（2022）
③石井，神田，浦壁，萩原，糸川，檜垣，
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBDスイッチング素子の直列駆動に関する研究」，
電気学会半導体電力変換研究会，SPC-23-167（2023）
④神田，石井，浦壁，萩原，糸川，檜垣，
「ゲート磁気結合方式を用いた駆動回路におけるゲート電圧振動抑制方法」，
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会，EDD-23-029/SPC-23-212，2023
⑤神田，石井，浦壁，萩原，糸川，檜垣
「トランス並列ダンピング方式とコンデンサを併用した直列素子の電圧アンバランス抑制方法」，
令和６年電気学会全国大会, 4-014（2024）
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3. Research on abnormality diagnosis technology for power electronics equipment using machine learning
①王，中嶋，原田，浦壁，
「機械学習によるDC/DCコンバータの異常診断」, 令和4年電気学会全国大会,
WEB15-A3 パワーエレクトロニクス DC-DC変換（非絶縁） 4-038 （2022）
②王，原田，浦壁，
「機械学習を活用したDC/DCコンバータの異常診断技術の検討」，
電気学会研究会資料（半導体電力変換／モータドライブ合同研究会），
SPC-23-023/MD-23-023（2023）
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