Introduction of research contents
1. Development of SiC power semiconductor device model
①中嶋，堀口，浦壁，萩原,
「SiC-MOSFET，GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発」,
令和３年電気学会全国大会,
WEB17-B2・パワーエレクトロニクスデバイス評価・4-001（2021）
②J. Nakashima, T. Horiguchi, Y. Mukunoki, M. Hagiwara, T. Urakabe and S. Harada，
"Automated Flexible Modeling for Various Full-SiC Power Modules"，
IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.38, Issue 5, pp.6094-6107, May 2023
SiCパワー半導体デバイスモデルの開発_2023EN.pdf
＊
2. Research on drive technology for series-connected power semiconductor devices
①中西，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合方式を用いたSiC-MOSFET/SiC-SBDパワーモジュール直列駆動に
関する研究」，電気学会研究会資料（半導体電力変換／モータドライブ合同研究会），
SPC-22-009/MD-22-009（2022）
②石井，浦壁，萩原，中嶋，檜垣，地道
「ゲート磁気結合トランスとコンデンサを併用したSiC-MOSFET/SiC-SBD
スイッチング素子の直列駆動に関する研究」
2022年電気学会産業応用部門大会, 1-40（2022）
＊
3. Research on abnormality diagnosis technology for power electronics equipment using machine learning
①王，中嶋，原田，浦壁，
「機械学習によるDC/DCコンバータの異常診断」, 令和4年電気学会全国大会,
WEB15-A3 パワーエレクトロニクス DC-DC変換（非絶縁） 4-038 （2022）
②王，原田，浦壁，
「機械学習を活用したDC/DCコンバータの異常診断技術の検討」，
電気学会研究会資料（半導体電力変換／モータドライブ合同研究会），
SPC-23-023/MD-23-023（2023）
＊
